(pressebox) Stutensee, 18.01.2011 – Ein extrem niedriger On-Widerstand von 150 m? und eine Gate-Drain-Ladungskapazität (Qgd) von nur 6 nC bei 10 A Maximalstrom (ID) und 10 VGSS Spannungstoleranz zeichnen den ab sofort bei MSC erhältlichen High-Voltage Power-MOSFET RJK60S5DPK von Renesas Electronics aus.
Dank der Hochleistungs-Super-Junction-Structure des für eine Drain-Source-Spannung von 600 V ausgelegten Power MOSFETs konnte der Gütefaktor gegenüber bisherigen, planar aufgebauten Power MOSFETs um circa 90 Prozent verbessert werden.
Der hohe Umrichter-Wirkungsgrad des RJK60S5DPK hilft, den Stromverbrauch Hochenergie-Schaltnetzteilen z.B. für Mobilfunk-Basisstationen, PC-Server oder Solarstrom-Systemen signifikant zu senken.
Da das Gehäuse des RJK60S5DPK der Größe des TO-3P-Standardgehäuses und die Pin-Zuordnungen dem Industriestandard entsprechen, lässt sich der Baustein problemlos auf Schaltnetzteil-Leiterplatten einsetzen, die mit herkömmlichen, planaren MOSFET-Bausteinen evaluiert wurden.