(pressebox) Stutensee, 26.01.2011 – Eine Stromtreibfähigkeit von bis zu 75 A und ein On-Widerstand von nur 3,3 m? zeichnet den in einem 6 x 5,15 mm2 kleinen HSON-8 Gehäuse untergebrachten, ab sofort bei MSC erhältlichen N-Kanal Power-MOSFET NP75N04YUK von Renesas Electroncis aus.
Der Baustein ist der erste von insgesamt 32 mit Renesas‘ ANL2-Fertigungsprozess produzierten N-Kanal Power-MOSFETs. Dank des neuen Fertigungsprozesses konnte der FOM- (Figure-of-Merit-) Faktor – das Produkt aus dem On-Widerstand und der Gate-Ladung – gegenüber im herkömmlichen UMOS4-Prozess gefertigten N-Kanal Power MOSFETs um zirka 40 Prozent verbessert werden.
Mit Durchbruchspannungen von 40 oder 55 V und Nennströmen von 35 bis 180 A eigen sich die je nach Anwendungsbereich und Typ im TO-263-7P-, TO-263-, TO-252-, HSON-8-,TO-220-oder TO-262-Gehäuse verfügbaren, AEC-Q101-qualifizierten N-Kanal Power MOSFETs ideal für unterschiedlichste Hochleistungs-Steuersysteme im Automotive-Bereich.