(pressebox) Stutensee, 14.02.2011 – Eine geringe Ausgangskapazität von 0,75 pF und ein niedriger Leckstrom von lediglich 30 pA zeichnen den neuen, in einem nur 2,9 x 2,3 mm2 großen 4-Pin-Gehäuse untergebrachten optisch gekoppelten MOSFET PS7901D-1A von Renesas Electronics (Vertrieb MSC) aus.
Trotz der gegenüber den Vorgängermodellen um zirka 40 Prozent kleineren Montagefläche ist weiterhin eine Isolationsspannung von 500 Veff garantiert. Dank seines extrem geringen Leckstroms im Off-Zustand und der geringen Ausgangskapazität eignet sich der PS7901D-1A ideal für die Steuerung von HF-Signalen in Anwendungen, bei denen es auf einen kompakten Aufbau und ein geringen Formfaktor ankommt.